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Intel 2164 DRAM 芯片内部数据位采用128128矩阵排列刷新周期为2m

发布时间:2019-07-30 22:29 来源:未知 编辑:admin

  Intel 2164 DRAM 芯片内部数据位采用128*128矩阵排列,刷新周期为2ms,读写周

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  Intel2164DRAM芯片内部数据位采用128*128矩阵排列,刷新周期为2ms,读写周期为0.1微秒,若采用集中式刷新,则死区时间为?最好把过程说一下...

  Intel 2164 DRAM 芯片内部数据位采用128*128矩阵排列,刷新周期为2ms,读写周期为0.1微秒,若采用集中式刷新,则死区时间为?最好把过程说一下

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